国巨(Yageo)宣布该公司在高阶(高容及高压)积层陶瓷电容(MLCC)产品开发及量产上大获增长，特殊产品占营业额比重已达四成，高阶产品产能明年将保持扩充势头，年产能预计较往年成长62%。
国巨在全球MLCC市场占有率持续向上提升，向全球前三大供货商地位挑战。
受到于3C新一代产品推陈出新的带动，各终端市场对于高阶MLCC的需求呈现指数级成长，国巨于去年起积极调整产品组合，聚焦于高阶产品开发及产量扩充。2006年该公司高容MLCC全年产能约为33亿颗，预计明年可成长至124亿颗，年成长率达276%，而目前高容MLCC占整体营收比重已成长至35%。
国巨CEO黄峻梁表示，发展高容MLCC的关键技术在于介电材料、薄层技术、堆栈精密度及量产能力。国巨积极投入X5R及Y5V开发及量产，以X5R为例，2007年国巨全年产能将较今年成长3.5倍，而目前产品介电厚度已达1.2μm，堆栈层数超过800层；未来国巨公司将持续开发更高阶的高容产品，以低于1μm的介电厚度及1,000层的堆栈层数为下一目标。
结合国巨的MLCC产品开发及量产能力，在Y5V产品部份，与策略联盟厂华亚电子(Compostar)的制程技术及设备，产能已达经济规模，07年全年产能较06年成长2.5倍。其中容质为2.2uF至22uF的Y5V高容产品，目前出货量比重已达30%。而在液晶显示器(LCD)相关需求的带动下，国巨高压MLCC的产量亦不断创新高。2012年国巨MLCC的产能已经扩展了N倍。
通过 国巨与旗下公司宸远科技(Chipcera)之间的产品组合调整、产能配置及卑金属电极(Base Metal Electrode，BME)制程的顺利导入，不仅产品质量及生产效率有效提升，今年全年产能亦较去年成长近40%，预计明年全年产能将再扩充20%。
此外， 国巨高压MLCC已取得欧洲TUV及美国UL严格的安规认证，可借此满足汽车、无线网络等终端产品客户要求，进一步拓展市场腹地。国巨公司MLCC全球市占率目前达三成之多，挑战亚洲之冠。目前 国巨MLCC生产据点包括高雄楠梓厂、中国苏州国巨电子厂与国巨电子东莞厂、华亚电子及宸远科技，而重建后之高雄大社厂也加入国巨高容MLCC生产行列。
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