器件型号举例说明 ( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)
AM 29L509 P C B
AMD首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类
"L"：低功耗； D：铜焊双列直插 C：商用温度， 没有标志的
"S"：肖特基； （多层陶瓷）； （0-70）℃或 为标准加工
"LS"：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体： （0-75）℃； 产品，标有
21：MOS存储器； P：塑料双列直插； M：军用温度， "B"的为已
25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）； （-55-125）℃； 老化产品。
26：计算机接口； X：管芯； H：商用，
27：双极存储器或EPROM ； A：塑料球栅阵列； （0-110）℃；
28：MOS存储器理； B：塑料芯片载体 I：工业用，
29：双极微处理器； C、D：密封双列； （-40～85 ）℃；
54/74：同25； E：薄的小引线封装； N：工业用，
60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列； （-25～85）℃；
79：电信； Z、Y、U、K、H：塑料 K：特殊军用，
80：MOS微处理器； 四面引线扁平； （-30～125）℃；
81、82：MOS和双极处围电路； J：塑料芯片载体（PLCC）； L：限制军用，
90：MOS； L：陶瓷芯片载体（LCC）； （-55-85）℃＜
91：MOS RAM： V、M：薄的四面 125℃。
92：MOS； 引线扁平；
93：双极逻辑存储器 P、R：塑料双列；
94：MOS； S：塑料小引线封装；
95：MOS外围电路； W：晶片；
1004：ECL存储器； 也用别的厂家的符号：
104：ECL存储器； P：塑料双列；
PAL：可编程逻辑陈列； NS、N：塑料双列；
98：EEPROM； JS、J：密封双列；
99：CMOS存储器。 W：扁平；
R：陶瓷芯片载体；
A：陶瓷针栅陈列；
NG：塑料四面引线扁平；
Q、QS：陶瓷双列。
电子元器件型号举例说明( 缩写字符：ANA 译名：模拟器件公司（美）)
AD 644 A S H /883B
ANA首标 器件 附加说明 温度范围 封装形式 筛选水平
AD：模拟器件 编号 A：第二代产品； I、J、K、L、M： D：陶瓷或金属气 MIL-STD-
HA：混合 DI：介质隔离产 （0-70）℃； 密双列封装 883B级。
A/D； 品； A、B、C： （多层陶瓷）；
HD：混合 Z：工作在+12V （-25-85）℃； E：芯片载体；
D/A。 的产品。（E：ECL） S、T、U： F：陶瓷扁平；
（-55-125）℃。 G：PGA封装
（针栅阵列）；
H：金属圆壳气
密封装；
M：金属壳双列
密封计算机部件；
N：塑料双列直插；
Q：陶瓷浸渍双列
（黑陶瓷）；
CHIPS：单片的芯片。
同时采用其它厂家编号出厂产品。
通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)
ADC 803 X X X X
首标 器件编号 通用资料 温度范围 封装 筛选水平
A：:改进参数性能； J、K、L： M：铜焊的金属壳封装； Q：高可
L：自销型； （0-70）℃； L：陶瓷芯片载体； 靠产品；
Z：+ 12V电源工作； A、B、C： N：塑料芯片载体； /QM：
HT：宽温度范围。 （-25-85）℃； P：塑封（双列）； MIL
R、S、T、V： H：铜焊的陶瓷封装 STD
（-55-125）℃。 （双列）； 883产品。
G：普通陶瓷（双列）；
U：小引线封装。