缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）
器件型号举例说明
ICL 8038 C C P D
器件系列 器件编号 电 温度范围 封装 外引线数符号
D：混合驱动器； 存储器件 特 （除D、DG、G外） A：TO-237； A：8；
G：混合多路FET； 命名法 性 M：（-55~125）℃ B：塑料扁平封装 B：10；
ICL：线性电路； 首位数表示： I：（-20~85）℃； C：TO-220； C：12；
ICM：钟表电路； 6：CMOS工艺； C：（0~70）℃ 。 D：陶瓷双列； D：14；
IH：混合/模拟门； 7：MOS工艺； D、DG、G的温度 E：小型TO-8； E：16；
IM：存储器； 第二位数表示： 范围： F：陶瓷扁平封装 F：22；
AD：模拟器件； 1：处理单元； A：（-55~125）℃ H：TO~66；I：16 G：24；
DG：模拟开关； 3：ROM； B：（-20~85）℃； 线（跨距为0.6"X0.7") H：42；
DGM：单片模拟开关； 4：接口单元； C：（0~70）℃。 密封混合双列； I：28；
ICH：混合电路； 5：RAM； J：陶瓷浸渍双列 J：32；
LH：混合IC； 6：PROM； （黑瓷）； K；35；
LM：线性IC； 第三、四位数表 K：TO-3； L：40；
MM：高压开关； 示： L：无引线陶瓷载体； M：48；
NE：SIC产品； 芯片型号。 P：塑料双列； N：18；
SE： SIC产品。 S：TO-52； P：20；
T：TO-5（亦是 Q：2；
TO-78,TO-99 R：3；
TO-100） S：4；
U：TO-72（亦是 T：6；
TO-18,TO-71） U：7；
V：TO-39； V：8（引线径0.2"）；
Z：TO-92； W：10（引线径0.23"）
/W：大圆片； Y：8（引线径
/D：芯片。 0.2"，4端与壳接)；
z：10（引线径0.23"，
5端与壳接）。
该公司已并入HAS公司。
缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）
器件型号举例说明
MC 1458 P
首标 器件编号 封装
MC：有封装的IC； 1500~1599； L：陶瓷双列直插（14或16线）；
MCC：IC芯片； （-55~125）℃军用线性 U：陶瓷封装；
MFC：低价塑封功能电路； 电路； G：金属壳TO-5型；
MCBC：梁式引线的IC芯片； 1400~1499、3400~3499： R：金属功率型封装TO-66型；
MCB：扁平封装的梁式引线IC； （0~70）℃线性电路； K：金属功率型TO-3封装；
MCCF：倒装的线性电路； 1300~1399、3300~3399： F：陶瓷扁平封装；
MLM：与NSC线性电路 消费工业线性电路。 T：塑封TO-220型；
引线一致的电路； P：塑封双列；
MCH：密封的混合电路； P1：8线性塑封双列直插；
MHP：塑封的混合电路； P2：14线塑料封双列直插；
MCM：集成存储器； PQ：参差引线塑封双列
MMS：存储器系统。 （仅消费类器件）封装；
SOIC：小引线双列封装。
与封装标志一起的尚有：
C：表示温度或性能的符号；
A：表示改进型的符号。
缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）
器件型号举例说明
MP 4136 C Y
MPS 器件编号 分档和温度范围 D：陶瓷及陶瓷浸渍双列； R：SOIC（8 线）
首标 （用文字和 J、K、L：商用/工业用 N：塑封双列及TO-92； S：SOIC；
数字表示） 温度； Y：14线陶瓷双列； L：LCC；
S、T、U：军用温度。 Z：8线陶瓷双列； G：PGA；
J：TO-99封装； Q：QFP；
T：TO-52封装； CHIP：芯片或小片。
P：8线塑封双列及PLCC；
K、H、M：TO-100型封装。
同时生产其它厂家相同型号的产品。
缩写字符：NECJ 译名：日本电气公司（日）
NECE 日本电气公司美国电子公司（美）
器件型号举例说明
μP D 7220 D
NEC首标 系列 器件编号 封装
A：混合元件； A：金属壳类似TO-5型封装；
B：双极数字电路； B：陶瓷扁平封装；
C：双极模拟电路； C：塑封双列；
D：单极型数字电路 D：陶瓷双列；
（MOS）。 G：塑封扁平；
H：塑封单列直插；
J：塑封类似TO-92型；
M：芯片载体；
0 V：立式的双列直插封装；
L：塑料芯片载体；
K：陶瓷芯片载体；
E：陶瓷背的双列直插。
缩写字符：NSC 译名：国家半导体公司（美）
器件型号举例说明
LM 101A F
系列 器件编号 封装
AD：模拟对数字； （用3、4或5位数字符号表示） D：玻璃/金属双列直插；
AH：模拟混合； A：表示改进规范的； F：玻璃/金属扁平；
AM：模拟单片； C：表示商业用的温度范围。 H：TO-5（TO~99，TO-100，TO-46）；
CD：CMOS数字； 其中线性电路的1－、2－、3－ J：低温玻璃双列直插（黑陶瓷）；
DA：数字对模拟； 表示三种温度，分别为： K：TO-3（钢的）；
DM：数字单片； （-55~125）℃ KC：TO-3（铝的）；
LF：线性FET； （-25~85）℃ N：塑封双列直插；
LH：线性混合； （0~70）℃。 P：TO-202（D-40，耐热的）；
LM：线性单片； S："SGS"型功率双列直插；
LP：线性低功耗； T：TO-220型；
LMC：CMOS线性； W：低温玻璃扁平封装（黑瓷扁平）；
LX：传感器； Z：TO-92型；
MM：MOS单片； E：陶瓷芯片载体；
TBA：线性单片； Q：塑料芯片载体；
NMC：MOS存储器。 M：小引线封装；
L：陶瓷芯片载体。
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